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Utilizando a sua fábrica ou através de parcerias estratégicas o CEITEC oferece prototipagem nas seguintes tecnologias:
CMOS/Mixed Signal :
1,0 µm – 0,8 µm – 0,6 µm – 0,35 µm – 0,25 µm – 0,18 µm
- a partir de 0,6 µm é possível inserir blocos de memória EEPROM e Flash de até 512 kbit com até 3 níveis de metalização
- para 0,35 µm é possível utilizar 3 ou 4 níveis de metalização, para 0,25 µm – 5 níveis e para 0,18 µm estão disponíveis até 6 camadas de metalização.
Alta Tensão:
High Voltage - CMOS
1,0 µm – até 100 V e 650 V (SOI).
0,6 µm – até 60 V e 110 V (SOI).
0,35 µm – até 50 V.
MEMS (Sensores):
Podem ser discretos ou integrados com o processo CMOS 1,0 e 0,6 µm, sensores de pressão e infra-vermelho (IR).
Fotodiodos:
Podem ser integrados com os processos CMOS de 1,0 µm, 0,8 µm, 0,6 µm e 0,35 µm.
RF (Alta Freqüência)
SiGe e BiCMOS
0.35 µm, 0.25 µm, 0.18 µm e 0.13 µm com ft de até 200 GHz.
Para reduzir o custo das prototipagens, dos lotes de engenharia e da produção em pequena escala são oferecidos:
1 – Compartilhamento de projetos para prototipagem:
MPW – Multi Project Wafers, fornecendo de 5 até 50 peças (protótipos)
2 – Lotes de engenharia:
MLM – Multi Layer Masks (divisão de máscaras) de 1 a 6 lâminas.
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